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Tiempo: 12/06/2026
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El IR2110 es un IC controlador de puerta de alto voltaje y alta velocidad diseñado para controlar MOSFETs y IGBTs de potencia. Tiene canales de salida independientes de alta lado y baja lado, lo que le permite controlar dispositivos de conmutación con un control de puerta preciso y confiable.
El IR2110 utiliza tecnología CMOS resistente, soporta entradas lógicas CMOS y LSTTL estándar, e incluye una etapa de búfer de corriente de pulso alto para mejorar el rendimiento de conmutación. Su canal de alta lado flotante puede operar hasta 500 V, lo que lo hace adecuado para diseños de circuitos de alto voltaje exigentes.
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| Parámetro |
Especificación |
| Tipo de controlador |
Controlador MOSFET e IGBT de alto voltaje y alta velocidad |
| Número de canales |
Controladores independientes de alta lado y baja lado |
| Voltaje del canal flotante |
Hasta 500 V |
| Tecnología de proceso |
HVIC y CMOS inmunes a transitorios |
| Tipo de entrada lógica |
Compatible con CMOS y LSTTL |
| Diseño de canal flotante |
Diseñado para operación bootstrap |
| Rango de suministro de control de puerta (VCC) |
10 V a 20 V |
| Rango de VDD |
5 V a 20 V |
| Corriente de salida pico (Fuente) |
2 A Típico |
| Corriente de salida pico (Sumidero) |
2 A Típico |
| Bloqueo de bajo voltaje (UVLO) |
Disponible en ambos canales |
| Inmunidad a dV/dt |
Alta inmunidad al ruido |
| Voltaje transitorio negativo |
Tolerante |
| Tipo de entrada |
Disparador Schmitt CMOS con pull-down |
| Función de apagado |
Lógica de apagado activada por bordes ciclo por ciclo |
| Igualación de retardo |
Retardo de propagación igualado entre canales |
| Relación de salida |
Salidas en Fase con Entradas |
| Lógica y Potencia Offset de Tierra |
±5 V |
| Operación de Alta Velocidad |
Optimizado para Aplicaciones de Conmutación Rápida |
| Paquetes Disponibles |
DIP de 14 Pines, SOIC de 16 Pines |

| No. de Pin |
Nombre de Pin |
Tipo |
Función |
| 1 |
LO |
Salida |
Salida del controlador de puerta de lado bajo. Proporciona la señal de activación de puerta para el MOSFET de lado bajo o IGBT. |
| 2 |
COM |
Tierra |
Camino de retorno de lado bajo y referencia de tierra de potencia para la etapa de salida del controlador. |
| 3 |
VCC |
Fuente de Alimentación |
Voltaje de alimentación para la etapa de salida del controlador de puerta de lado bajo. Típicamente de 10 V a 20 V. |
| 4 |
NC |
Sin Conexión |
Conexión interna no utilizada. Dejar desconectada a menos que lo especifique el fabricante. |
| 5 |
VS |
Retorno Flotante |
Referencia de retorno para el controlador de lado alto. Conectado a la fuente del MOSFET de lado alto o emisor del IGBT de lado alto. |
| 6 |
VB |
Suministro Flotante |
Entrada de alimentación flotante para el controlador de lado alto. Generalmente conectado a un condensador de bootstrap. |
| 7 |
HO |
Salida |
Salida del controlador de puerta de lado alto. Activa la puerta del MOSFET de lado alto o IGBT. |
| 8 |
VDD |
Suministro de Lógica |
Voltaje de suministro para el circuito lógico. Soporta etapas de entrada lógica y circuitos de control internos. |
| 9 |
HIN |
Entrada |
Entrada lógica que controla la salida de lado alto (HO). Una entrada alta activa el controlador de lado alto. |
| 10 |
SD |
Entrada |
Entrada de control de apagado. Usada para deshabilitar ambas salidas de control para protección contra fallas o control del sistema. |
| 11 |
LIN |
Entrada |
Entrada lógica que controla la salida de lado bajo (LO). Una entrada alta activa el controlador de lado bajo. |
| 12 |
VSS |
Tierra de Lógica |
Referencia de tierra para el suministro lógico y entradas de control. |
| 13 |
NC |
Sin Conexión |
Conexión interna no utilizada. Dejar desconectada a menos que lo especifique el fabricante. |
| 14 |
NC |
Sin Conexión |
Conexión interna no utilizada. Dejar desconectada a menos que lo especifique el fabricante. |
El IR2110 contiene secciones de controlador de puerta de lado alto y de lado bajo separadas, diseñadas para controlar MOSFETs de potencia o IGBTs en aplicaciones de conmutación. Dentro del dispositivo, las señales de entrada pasan a través de circuitos disparadores de Schmitt que mejoran la inmunidad al ruido y aseguran un funcionamiento confiable en entornos eléctricos ruidosos. Los circuitos lógicos internos procesan las señales de control y gestionan la operación de ambos canales de control.

Una parte clave de la arquitectura es el circuito de cambio de nivel de alta tensión. Este bloque transfiere información de control desde la sección lógica de bajo voltaje a la sección de controlador de lado alto flotante, permitiendo que el dispositivo opere en aplicaciones donde el nodo de conmutación se mueve a través de un amplio rango de voltaje. El controlador flotante es alimentado a través de los terminales VB y VS, permitiendo un control adecuado de la puerta del dispositivo de conmutación superior.
El IR2110 también incorpora varias funciones de protección y temporización. El bloqueo por bajo voltaje (UVLO) monitorea continuamente los voltajes de suministro del controlador y desactiva las salidas si el voltaje cae por debajo de un nivel seguro de operación. El filtrado de pulsos ayuda a rechazar pulsos de ruido no deseados, mientras que la función de apagado proporciona un método conveniente para deshabilitar ambos canales de control durante condiciones de falla o eventos de protección del sistema.
El IR2110 se utiliza ampliamente en circuitos de media puente, puente completo y de conmutación de alta potencia. Una aplicación común consiste en dos MOSFETs de canal N conectados en una disposición de media puente, permitiendo un control eficiente de la potencia entregada a una carga. Esta configuración se encuentra frecuentemente en accionamientos de motores, inversores de CC a CA, fuentes de alimentación conmutadas, sistemas de UPS y equipos de calentamiento por inducción.

Se utiliza típicamente un diodo y un condensador de bootstrap para generar la alimentación flotante requerida por el controlador de lado alto. Durante la operación, el condensador almacena energía y proporciona el voltaje necesario para activar el MOSFET superior. Este enfoque elimina la necesidad de una fuente de alimentación aislada separada para el controlador de puerta de lado alto, reduciendo la complejidad y el costo del circuito.
Componentes externos adicionales se incluyen comúnmente para mejorar el rendimiento. Los resistores de puerta ayudan a controlar la velocidad de conmutación y a reducir el llamado de voltaje, mientras que los resistores de pull-down aseguran que los transistores de potencia permanezcan en un estado de apagado definido cuando no hay una señal de control presente. Estos componentes contribuyen a una operación de conmutación estable y confiable.
Los diseños exitosos del IR2110 comienzan con un diseño adecuado del PCB y desacoplamiento de la fuente de alimentación. Los capacitores de bypass deben colocarse cerca de los pines VCC-COM y VDD-VSS para reducir las caídas de voltaje durante la conmutación rápida. Las trazas de conducción de puerta deben ser cortas y directas para minimizar la inductancia parasitaria, mientras que las secciones de alto y bajo voltaje deben tener un espaciado adecuado por motivos de seguridad y estabilidad de la señal.

La selección del resistor de puerta también es importante porque controla la velocidad de conmutación del MOSFET o IGBT. Un resistor de puerta más pequeño proporciona una conmutación más rápida, pero puede aumentar el llamado y la interferencia electromagnética. Un resistor de puerta más grande ralentiza el borde de conmutación y puede reducir el ruido, pero puede aumentar las pérdidas de conmutación.
El circuito debe incluir un control adecuado del tiempo muerto entre los dispositivos de alta y baja. Esto evita que ambos interruptores se enciendan al mismo tiempo, lo que puede causar corriente de disparo y dañar la etapa de potencia.
Para una mejor confiabilidad, se deben aplicar técnicas de reducción de ruido, como caminos de tierra cortos, conexión sólida a COM, desacoplamiento adecuado y enrutamiento cuidadoso de las señales HIN y LIN lejos de los nodos de conmutación ruidosos. Las recomendaciones de protección incluyen usar correctamente el bloqueo por subvoltaje, agregar resistores de puerta adecuados, verificar el tamaño del capacitor bootstrap y proteger los MOSFET o IGBT de sobrecorriente, sobrevoltaje y sobrecalentamiento.
| Característica |
IR2110 |
IR2101 |
IR2104 |
| Tipo de Driver |
Driver de Alta y Baja |
Driver de Alta y Baja |
Driver de Alta y Baja con Tiempo Muerto Interno |
| Voltaje de Suministro Flotante de Alta |
Hasta 500 V |
Hasta 600 V |
Hasta 600 V |
| Canales de Salida |
Salidas Independientes de Alta y Baja |
Salidas Independientes de Alta y Baja |
Salidas Complementarias de Alta y Baja |
| Corriente de Salida Pico (Fuente) |
2 A |
130 mA |
210 mA |
| Corriente de Salida Pico (Sumidero) |
2 A |
270 mA |
360 mA |
| Voltaje de Suministro Lógico (VDD) |
5 V a 20 V |
No Requerido |
No Requerido |
| Voltaje de Suministro del Driver (VCC) |
10 V a 20 V |
10 V a 20 V |
10 V a 20 V |
| Pines de Entrada Lógica |
HIN, LIN, SD |
HIN, LIN |
IN, SD |
| Pin de Apagado |
Sí |
No |
Sí |
| Bloqueo por Subvoltaje (UVLO) |
Alta y Baja |
Alta y Baja |
Alta y Baja |
| Convertidor de Nivel |
Sí |
Sí |
Sí |
| Operación Bootstrap |
Sí |
Sí |
Sí |
| Retardo de Propagación Emparejado |
Sí |
No |
No |
| Tiempo Muerto Interno |
No |
No |
Sí |
| Control de Tiempo Muerto |
Externo |
Externo |
Interno |
| Control Independiente de Ambas Salidas |
Sí |
Sí |
No |
| Configuración de Lógica de Salida |
Independiente |
Independiente |
Complementaria |
| Inmunidad al Ruido |
Alta |
Alta |
Alta |
| Compatibilidad con MOSFET |
MOSFETs de Canal N |
MOSFETs de Canal N |
MOSFETs de Canal N |
| Compatibilidad con IGBT |
Sí |
Capacidad de Conducción Limitada |
Capacidad de Conducción Limitada |
| Capacidad de Frecuencia de Conmutación |
Alta |
Moderada |
Moderada |
| Fuerza de Conducción de Puerta |
Alta |
Baja |
Media |
| Componentes Externos Requeridos |
Moderada |
Baja |
Baja |
| Complejidad del Diseño |
Moderada |
Simple |
Muy Simple |
| Opciones de Paquete |
DIP, SOIC |
DIP, SOIC |
DIP, SOIC |
El IR2110 está diseñado para conmutación de alta velocidad y puede utilizarse en aplicaciones como inversores, accionamientos de motores y fuentes de alimentación conmutadas. Antes de seleccionar el dispositivo, debe evaluar la frecuencia de conmutación prevista y asegurarse de que los MOSFET o IGBT puedan ser activados de manera eficiente a esa velocidad. Frecuencias de conmutación más altas pueden mejorar el rendimiento del sistema y reducir el tamaño de los componentes magnéticos, pero también aumentan las pérdidas de conmutación y la generación de calor.
El IR2110 puede controlar tanto MOSFETs de canal N como IGBTs, pero los requisitos de activación de puerta de estos dispositivos pueden diferir significativamente. Los MOSFET son generalmente preferidos para operación de alta frecuencia debido a su velocidad de conmutación más rápida, mientras que los IGBTs son a menudo utilizados en aplicaciones de mayor voltaje y corriente. El dispositivo de potencia seleccionado debe ser compatible con el voltaje de activación y la capacidad de corriente de salida del IR2110.
El IR2110 soporta niveles de lógica CMOS y LSTTL estándar, lo que lo hace compatible con muchos microcontroladores, DSPs y controladores PWM. Debe verificar que el voltaje de salida de lógica del circuito de control cumpla con los requisitos de entrada del controlador para asegurar una conmutación confiable y el reconocimiento adecuado de la señal.
Voltajes de suministro adecuados son esenciales para una operación confiable. El IR2110 típicamente requiere un voltaje de suministro de activación de entre 10 V y 20 V, mientras que el controlador del lado alto utiliza un circuito bootstrap para generar su suministro flotante. Se deben incluir capacitores de desacoplamiento adecuados y un capacitor bootstrap de tamaño correcto para mantener una operación estable durante la conmutación.
El IR2110 utiliza una arquitectura de cambio de nivel en lugar de aislamiento galvanico. Para muchos diseños de medio puente y puente completo, este enfoque es suficiente y ayuda a reducir la complejidad del circuito. Sin embargo, las aplicaciones que requieren aislamiento de seguridad, alta inmunidad al ruido de modo común, o sistemas de control aislados pueden requerir un controlador de puerta aislado en lugar del IR2110. Evaluar los requisitos de aislamiento temprano en el proceso de diseño ayuda a asegurar el cumplimiento de los requisitos de seguridad y rendimiento del sistema.
• IR2113
• IRS2110
• IRS2113
• IR2101
• IR2104
• IRS2184
• FAN7392
• UCC27714

El IR2110 de Infineon Technologies combina el control de puerta del lado alto y del lado bajo, una fuerte capacidad de corriente de salida, operación bootstrap, y características de protección útiles en un solo CI. Estas características ayudan a simplificar el diseño de circuitos de potencia mientras proporcionan un control confiable de MOSFETs e IGBTs en aplicaciones de conmutación de alto voltaje. Con sus canales de controlador independientes, arquitectura de cambio de nivel, y soporte para conmutación de alta velocidad, el IR2110 sigue siendo una opción popular para ingenieros que diseñan inversores, accionamientos de motores, fuentes de alimentación y otros sistemas electrónicos de potencia.
El capacitor bootstrap debe almacenar suficiente carga para mantener el MOSFET del lado alto completamente enhanceado durante todo el ciclo de conmutación. El valor depende de la carga de puerta del MOSFET, la frecuencia de conmutación, las corrientes de fuga y el margen de voltaje deseado.
Sí. El IR2110 puede controlar múltiples MOSFETs conectados en paralelo, siempre que la carga total de la puerta permanezca dentro de la capacidad del controlador y se utilicen resistores de puerta adecuados para cada MOSFET.
Una causa común es un capacitor bootstrap cargado incorrectamente. La selección incorrecta del diodo bootstrap, un ciclo de trabajo insuficiente o errores de cableado también pueden impedir que el controlador de alta lado funcione correctamente.
Sin tiempo muerto suficiente, ambos interruptores pueden conducir simultáneamente, causando corriente de cruce. Esto puede llevar a un calentamiento excesivo, eficiencia reducida y posible daño a los MOSFET y al circuito del controlador.
En algunos casos, sí, pero se debe verificar la compatibilidad a nivel lógico. Si la señal lógica no es suficiente para un funcionamiento fiable, puede ser necesario un circuito de cambio de nivel.
Resistores de compuerta más pequeños aumentan la velocidad de conmutación pero pueden crear más oscilaciones y EMI. Resistores más grandes reducen el ruido y el estrés de conmutación pero pueden aumentar las pérdidas de conmutación.
El límite práctico depende de la carga de compuerta de los MOSFET, el diseño del PCB, los valores de los resistores de compuerta y el diseño de la etapa de potencia. Muchos diseños funcionan con éxito desde decenas de kilohertz hasta varios cientos de kilohertz.
Un controlador de compuerta aislado se prefiere a menudo cuando se requiere aislamiento de seguridad, alta inmunidad al ruido común o tierras de control y potencia separadas en la aplicación.
CAP CER 0.068UF 50V X8R 0603
IC OSC SILICON PROG 8-MSOP
IC ADC 14BIT PIPELINED 44MQFP
IC ADC 16BIT SIGMA-DELTA 16SOIC
IC SCREEN CNTRL 12BIT 16TSSOP
IC PC CARD CONTROLLER 253-BGA
IC TRANSCEIVER FULL 5/3 28TSSOP
MB90F335A FUJITSU
LTC6652BCMS8-2.5 LT
IMVP4 DUAL-PHASE PWM CONTROLLER
EDB2432BCPC-8D-F ELPIDA
IKANOS BGA
SERVICE LQFP-128



