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¡Emocionante! Samsung anunció la producción en masa de 1TB eUFS2.1
Hoy, Samsung Electronics anunció la producción oficial de eUFS2.1 con 1 TB de capacidad de almacenamiento. Utiliza la tecnología V-NAND de quinta generación de Samsung.
En el mismo tamaño de paquete (11.5mm x 13.0mm), la solución eUFS de 1TB duplica la capacidad de la versión anterior de 512GB, con 16 flashes V-NAND más avanzados de 512 Gigabit (Gb) de Samsung apilados y nuevos Se combinan los controladores de flash propietarios desarrollados . La nueva eUFS acelera hasta 1,000MB / s por segundo, con lecturas y grabaciones aleatorias de 58,000 IOPS y 50,000 IOPS, respectivamente, un aumento del 38% sobre 512GB.
Samsung planea expandir su quinta generación de 512Gb V-NAND en su planta de Pyeongtaek en Corea del Sur en la primera mitad de 2019 para satisfacer completamente la fuerte demanda de los fabricantes de dispositivos móviles globales para eUFS de 1 TB.
Algunas personas pueden no saber el poder de los eUFS de Samsung. Echemos un vistazo a la introducción oficial:
En comparación con eMMC, eUFS exhibe un mayor rendimiento en términos de velocidad de lectura y velocidades de lectura secuencial de hasta un 40%. Al optimizar el rendimiento de USB 3.1 en los sistemas (Gen1 5Gbps, Gen2 10Gbps), las operaciones de copia de archivos pueden mejorar el rendimiento en un 40%.
eUFS no solo ofrece velocidades más rápidas, sino que también reduce el consumo de energía, lo que proporciona una mejor eficiencia energética. De hecho, bajo la misma carga de trabajo, UFS exhibe un 8% más de duración de la batería que eMMC. El tiempo de trabajo real para procesar la misma carga de trabajo se reduce en un 30%.
En la actualidad, eUFS ha entrado en la era 3.0. Se lanzará en la primera mitad de 2019. El primer lote tendrá capacidades de almacenamiento de 128GB, 256GB y 512GB. La velocidad máxima de transferencia de datos es de 2000 MB / s, y la capacidad de almacenamiento de 1 TB se envía en 2021.
Se informa que la especificación eUFS 3.0 se lanzó a principios del año pasado y que el ancho de banda de un solo canal se ha incrementado a 11.6 Gbps. La velocidad máxima teórica es de aproximadamente 2,9 GB / s, que se duplica en comparación con el UFS 2.1 que se usa comúnmente en la máquina insignia.
En el mismo tamaño de paquete (11.5mm x 13.0mm), la solución eUFS de 1TB duplica la capacidad de la versión anterior de 512GB, con 16 flashes V-NAND más avanzados de 512 Gigabit (Gb) de Samsung apilados y nuevos Se combinan los controladores de flash propietarios desarrollados . La nueva eUFS acelera hasta 1,000MB / s por segundo, con lecturas y grabaciones aleatorias de 58,000 IOPS y 50,000 IOPS, respectivamente, un aumento del 38% sobre 512GB.
Samsung planea expandir su quinta generación de 512Gb V-NAND en su planta de Pyeongtaek en Corea del Sur en la primera mitad de 2019 para satisfacer completamente la fuerte demanda de los fabricantes de dispositivos móviles globales para eUFS de 1 TB.
Algunas personas pueden no saber el poder de los eUFS de Samsung. Echemos un vistazo a la introducción oficial:
En comparación con eMMC, eUFS exhibe un mayor rendimiento en términos de velocidad de lectura y velocidades de lectura secuencial de hasta un 40%. Al optimizar el rendimiento de USB 3.1 en los sistemas (Gen1 5Gbps, Gen2 10Gbps), las operaciones de copia de archivos pueden mejorar el rendimiento en un 40%.
eUFS no solo ofrece velocidades más rápidas, sino que también reduce el consumo de energía, lo que proporciona una mejor eficiencia energética. De hecho, bajo la misma carga de trabajo, UFS exhibe un 8% más de duración de la batería que eMMC. El tiempo de trabajo real para procesar la misma carga de trabajo se reduce en un 30%.
En la actualidad, eUFS ha entrado en la era 3.0. Se lanzará en la primera mitad de 2019. El primer lote tendrá capacidades de almacenamiento de 128GB, 256GB y 512GB. La velocidad máxima de transferencia de datos es de 2000 MB / s, y la capacidad de almacenamiento de 1 TB se envía en 2021.
Se informa que la especificación eUFS 3.0 se lanzó a principios del año pasado y que el ancho de banda de un solo canal se ha incrementado a 11.6 Gbps. La velocidad máxima teórica es de aproximadamente 2,9 GB / s, que se duplica en comparación con el UFS 2.1 que se usa comúnmente en la máquina insignia.