SK hynix publica informe financiero para el tercer trimestre del año fiscal 2019

24 de octubre de 2019: SK hynix (o 'Compañía', www.skhynix.com) anunció hoy su informe financiero del tercer trimestre de 2019, 30 de septiembre de 2019. En el tercer trimestre, los ingresos combinados fueron de 6.84 billones de wones, la ganancia operativa fue de 472.600 millones de wones, y el beneficio neto fue de 495.500 millones de wones. El margen operativo para el trimestre fue del 7% y el margen de beneficio neto fue del 7%.

En el tercer trimestre, debido a la tendencia de restaurar la demanda, los ingresos aumentaron un 6% trimestre con trimestre. Sin embargo, en términos de rentabilidad, aunque el costo unitario de DRAM disminuyó, la disminución del precio de mercado no se compensó por completo y las ganancias operativas disminuyeron en un 26%.

Para DRAM, la compañía respondió positivamente a los nuevos productos móviles, y a medida que algunos clientes del centro de datos aumentaron sus compras, los envíos de bits de DRAM aumentaron en un 23%, pero los precios continuaron debilitándose y los precios de venta promedio cayeron un 16%. . Sin embargo, la disminución en los precios de venta promedio ha disminuido desde el trimestre anterior.

Para NAND flash, la compañía respondió activamente al mercado de soluciones móviles y SSD de alta capacidad con una recuperación continua de la demanda, pero los envíos de bits de la compañía disminuyeron en un 1% debido al aumento temporal de las ventas de artículos individuales en el trimestre anterior. Sin embargo, el precio de venta promedio aumentó en un 4% con respecto al trimestre anterior debido a la reducción en la proporción de ventas de artículos individuales a precios relativamente bajos.

SK hynix planea ajustar de manera flexible la producción y la inversión de acuerdo con las condiciones del mercado mientras satisface las crecientes demandas de los clientes y responde de manera efectiva a las fluctuaciones de la demanda causadas por incertidumbres externas.

SK hynix está convirtiendo una parte de su línea de producción en la planta Icheon M10 en una línea de producción para la producción en masa de sensores de imagen CMOS (CIS) mientras reduce la producción de memoria flash 2D NAND. Como resultado, se espera que la capacidad de producción de memoria flash DRAM y NAND disminuya el próximo año en comparación con el año pasado. En comparación con este año, la cantidad de inversión del próximo año también se reducirá considerablemente.

Además, SK hynix planea continuar desarrollando una nueva generación de tecnología de microingeniería y expandir otras carteras de productos al expandir las ventas de productos de valor agregado de alta capacidad para lograr un mayor crecimiento en la mejora del mercado.

SK hynix planea aumentar la producción de DRAM de 10nm (1Y) de segunda generación a 10% para fines del próximo año, y planea producir en masa el proyecto de 10nm (1Z) de tercera generación recientemente desarrollado. Además, la compañía planea responder activamente a los mercados LPDDR5 y HBM2E. Se espera que estos productos sean adoptados activamente por los clientes el próximo año.

La compañía ampliará la producción de productos flash 4D NAND de 96 capas a la segunda mitad del año para fin de año, y promoverá la producción en masa y la preparación de ventas de memoria flash 4D NAND de 128 capas. Además, la compañía se centra en el mercado de teléfonos inteligentes y SSD de alto perfil, y se espera que la proporción de SSD en las ventas flash NAND de SK hynix aumente al 30% en el cuarto trimestre.

SK hynix dijo: "Minimizaremos la volatilidad de nuestro negocio en función de la experiencia de esta recesión del mercado. Al mismo tiempo, aumentaremos nuestros esfuerzos para lograr un crecimiento sostenible".