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Samsung adopta patentes YMTC para abordar los desafíos de apilamiento de memoria flash
Tiempo: 27/02/2025
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Samsung ha firmado recientemente un acuerdo de licencia de patentes de enlace híbrido NAND 3D con Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC).Comenzando con su V-Nand (V10) de décima generación, Samsung utilizará la tecnología patentada de YMTC, particularmente en el área de unión híbrida.
Samsung planea producir en masa el V10 NAND de próxima generación en la segunda mitad de 2025, con un recuento esperado de capa de pila que alcanza de 420 a 430 capas.Al exceder las 400 capas, la mayor presión sobre los circuitos periféricos subyacentes puede afectar significativamente la confiabilidad del chip.
Para abordar este problema, Samsung ha decidido integrar la tecnología de unión híbrida de obleas a-wafer (W2W) en su V10 NAND.Este método une directamente dos obleas sin depender de las conexiones de protuberancia tradicional, acortando efectivamente las rutas eléctricas, mejorar el rendimiento y la disipación de calor, y mejorar la eficiencia de fabricación.
YMTC fue pionero en la tecnología de unión híbrida en la fabricación 3D NAND hace cuatro años y la llamó Xtacking.La compañía también ha establecido una cartera integral de patentes en este campo.
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